J系列管芯产品

产品型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型性能@6GHz 48V (W) 效率@6GHz 48V (%) 增益@6GHz 48V (dB) 典型性能@10GHz 28V (W) 效率@10GHz 28V (%) 增益@10GHz 28V (dB) Download
D2J080DH2 220 8.80 725 2985 80 73 20.6 44 59 15.5
D2J325DB2 440 42.24 945 6075 325 61 17.3 180 45 9.8
D2J185DE2 415 23.24 920 4250 185 67 18.1 100 52 12.1
D2J160DH2 295 18.88 800 4390 160 69 19.6 90 54 13.8
D2J140DE2 345 16.56 850 3770 140 70 18.4 75 55 13.0
D2J090DE2 285 10.26 790 2835 90 73 18.9 50 58 13.7
D2J070DH2 210 7.56 655 2725 70 73 20.5 38 60 15.5
注:
1.?效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;
2.?效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据。
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D2J080DH2


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D2J080DH2

D2J080DH2是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸725*2985mm
典型功率 @6GHz 48V80W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.6dB
典型功率 @10GHz 28V44W
效率 @10GHz 28V59%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 6 GHz


2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 10 GHz


D2J325DB2


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D2J325DB2

D2J325DB2是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸945*6075mm
典型功率 @6GHz 48V325W
效率 @6GHz 48V61%
增益 @6GHz 48V17.3dB
典型功率 @10GHz 28V180W
效率 @10GHz 28V45%
增益 @10GHz 28V9.8dB














1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz


2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz


D2J185DE2


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D2J185DE2

D2J185DE2是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸920*4250mm
典型功率 @6GHz 48V185W
效率 @6GHz 48V67%
增益 @6GHz 48V18.1dB
典型功率 @10GHz 28V100W
效率 @10GHz 28V52%
增益 @10GHz 28V12.1dB














1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 6 GHz


2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 10 GHz


D2J160DH2


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D2J160DH2

D2J0160DH2是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸800*4390mm
典型功率 @6GHz 48V160W
效率 @6GHz 48V69%
增益 @6GHz 48V19.6dB
典型功率 @10GHz 28V90W
效率 @10GHz 28V54%
增益 @10GHz 28V13.8dB














1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 6 GHz


2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz


D2J140DE2


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D2J140DE2

D2J140DE2是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸850*3770mm
典型功率 @6GHz 48V140W
效率 @6GHz 48V70%
增益 @6GHz 48V18.4dB
典型功率 @10GHz 28V75W
效率 @10GHz 28V55%
增益 @10GHz 28V13.0dB














1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 频率 = 6 GHz


2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 频率 = 10 GHz


D2J090DE2


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D2J090DE2

D2J090DE2是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸790*2835mm
典型功率 @6GHz 48V90W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V18.9dB
典型功率 @10GHz 28V50W
效率 @10GHz 28V58%
增益 @10GHz 28V13.7dB














1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 频率 = 6 GHz


2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz


D2J070DH2


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D2J070DH2

D2J070DH2是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸655*2725mm
典型功率 @6GHz 48V70W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.5dB
典型功率 @10GHz 28V38W
效率 @10GHz 28V60%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 频率 = 6 GHz


2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 10 GHz